Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3_F155
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Dimensiune celula
SuperFET III
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
417 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V ac/dc
Latime
5.3mm
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
136 @ 10 V nC
Inaltime
21.08mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Dimensiune celula
SuperFET III
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
417 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V ac/dc
Latime
5.3mm
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.26mm
Typical Gate Charge @ Vgs
136 @ 10 V nC
Inaltime
21.08mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse