N-Channel MOSFET, 5.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV30UN2R
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
PMV30UN2
Tip pachet
TO-236
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Latime
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,13
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,155
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,13
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,155
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,13 | € 390,00 |
| 6000 - 12000 | € 0,12 | € 360,00 |
| 15000 - 27000 | € 0,12 | € 360,00 |
| 30000 - 72000 | € 0,11 | € 330,00 |
| 75000+ | € 0,11 | € 330,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
PMV30UN2
Tip pachet
TO-236
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
12 V
Latime
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse