Dual N-Channel MOSFET, 3.4 A, 30 V, 8-Pin SOIC Nexperia PHN210T,118

Nr. stoc RS: 725-8376Producator: NexperiaCod de producator: PHN210T,118
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Inaltime

1.45mm

Tara de origine

Thailand

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET, 3.4 A, 30 V, 8-Pin SOIC Nexperia PHN210T,118
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET, 3.4 A, 30 V, 8-Pin SOIC Nexperia PHN210T,118

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

6 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Latime

4mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-65 °C

Inaltime

1.45mm

Tara de origine

Thailand

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe