Nexperia PBSS5160U,115 PNP Transistor, -1 A, -60 V, 3-Pin UMT
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-60 V
Tip pachet
UMT
Montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
415 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
185 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
1 x 2.2 x 1.35mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 13,20
€ 0,22 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 15,97
€ 0,266 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
60
€ 13,20
€ 0,22 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 15,97
€ 0,266 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
60
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 60 - 100 | € 0,22 | € 4,40 |
| 120 - 220 | € 0,10 | € 2,00 |
| 240 - 460 | € 0,09 | € 1,80 |
| 480+ | € 0,09 | € 1,80 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-60 V
Tip pachet
UMT
Montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
415 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
185 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensiuni
1 x 2.2 x 1.35mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse