Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
500 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-500 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Numar pini
3 + Tab
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Tara de origine
China
Detalii produs
High Voltage Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
P.O.A.
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
500 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
1.45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-500 V
Maximum Emitter Base Voltage
-6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Numar pini
3 + Tab
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Tara de origine
China
Detalii produs


