Nexperia PBHV8118T,215 NPN Transistor, 1 A, 180 V, 3-Pin SOT-23
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
180 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
400 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
3 x 1.4 x 1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,50
€ 0,35 Buc. (Intr-un pachet de 30) (fara TVA)
€ 12,70
€ 0,424 Buc. (Intr-un pachet de 30) (cu TVA)
Standard
30
€ 10,50
€ 0,35 Buc. (Intr-un pachet de 30) (fara TVA)
€ 12,70
€ 0,424 Buc. (Intr-un pachet de 30) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
30
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 0,35 | € 10,50 |
| 60 - 120 | € 0,19 | € 5,70 |
| 150 - 270 | € 0,18 | € 5,40 |
| 300 - 570 | € 0,17 | € 5,10 |
| 600+ | € 0,17 | € 5,10 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
180 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
400 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Numar pini
3
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Dimensiuni
3 x 1.4 x 1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse