Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK NSF060120D7A0J

Nr. stoc RS: 219-446Producator: NexperiaCod de producator: NSF060120D7A0J
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

38 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

TO-263

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 16,22

€ 16,22 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 19,63

€ 19,63 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK NSF060120D7A0J
Selectati tipul de ambalaj

€ 16,22

€ 16,22 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 19,63

€ 19,63 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK NSF060120D7A0J

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 9€ 16,22
10 - 99€ 14,45
100+€ 13,20

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

38 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

TO-263

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe