Nexperia BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Tip pachet
SOT-89
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Dimensiuni
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Latime
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Lungime
4.6mm
Inaltime
1.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,00
€ 0,40 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 4,84
€ 0,484 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
10
€ 4,00
€ 0,40 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)
€ 4,84
€ 0,484 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Tip pachet
SOT-89
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Dimensiuni
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Latime
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Lungime
4.6mm
Inaltime
1.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse