Nexperia BST62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3-Pin SOT-89
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Tip pachet
SOT-89
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Inaltime
1.6mm
Latime
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Dimensiuni
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.6mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,22
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 0,262
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 0,22
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 0,262
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Tip pachet
SOT-89
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Inaltime
1.6mm
Latime
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Dimensiuni
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.6mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse