Nexperia N-Channel MOSFET, 400 mA, 200 V, 3-Pin SOT-89 BSS87,115

Nr. stoc RS: 725-8316PProducator: NexperiaCod de producator: BSS87,115
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

SOT-89

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

4.6mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

2.6mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.6mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 3,60

€ 0,36 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 4,36

€ 0,436 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 400 mA, 200 V, 3-Pin SOT-89 BSS87,115
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,60

€ 0,36 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 4,36

€ 0,436 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 400 mA, 200 V, 3-Pin SOT-89 BSS87,115

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

SOT-89

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

4.6mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

2.6mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.6mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe