N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138AKAR

Nr. stoc RS: 136-4825Producator: NexperiaCod de producator: BSS138AKAR
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Dimensiune celula

BSS138AKA

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.06 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.39 nC @ 4.5 V

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,15

Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)

€ 0,178

Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138AKAR
Selectati tipul de ambalaj

€ 0,15

Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)

€ 0,178

Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSS138AKAR
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Pachet
100 - 400€ 0,15€ 15,00
500 - 900€ 0,14€ 14,00
1000 - 2400€ 0,13€ 13,00
2500 - 4900€ 0,12€ 12,00
5000+€ 0,10€ 10,00

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Dimensiune celula

BSS138AKA

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.06 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

1.4mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.39 nC @ 4.5 V

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe