Nexperia BSP50,115 NPN Darlington Transistor, 800 mA 45 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
800 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
50nA
Inaltime
1.6mm
Latime
3.5mm
Maximum Power Dissipation
1 W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Dimensiuni
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.5mm
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,25
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 0,298
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 0,25
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 0,298
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
800 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
50nA
Inaltime
1.6mm
Latime
3.5mm
Maximum Power Dissipation
1 W
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Dimensiuni
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.5mm
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse