Nexperia P-Channel MOSFET, 225 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP225,115
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
225 mA
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.7mm
Inaltime
1.7mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,00
€ 0,50 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 6,05
€ 0,605 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 5,00
€ 0,50 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 6,05
€ 0,605 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,50 | € 2,50 |
| 25 - 45 | € 0,46 | € 2,30 |
| 50 - 95 | € 0,42 | € 2,10 |
| 100+ | € 0,32 | € 1,60 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
225 mA
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
15 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
3.7mm
Inaltime
1.7mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse