P-Channel MOSFET, 225 mA, 200 V, 3-Pin SOT-223 Nexperia BSP220,115

Nr. stoc RS: 725-8379Producator: NexperiaCod de producator: BSP220,115
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

225 mA

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.7mm

Latime

3.7mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.7mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 225 mA, 200 V, 3-Pin SOT-223 Nexperia BSP220,115
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 225 mA, 200 V, 3-Pin SOT-223 Nexperia BSP220,115

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

225 mA

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

SOT-223

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

12 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.8V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.7mm

Latime

3.7mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.7mm

Tara de origine

China

Detalii produs

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe