Nexperia P-Channel MOSFET, 470 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH203,215
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
470 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.68V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
417 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,00
€ 0,10 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 4,84
€ 0,121 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
40
€ 4,00
€ 0,10 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 4,84
€ 0,121 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
40
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 40 - 80 | € 0,10 | € 2,00 |
| 100 - 180 | € 0,06 | € 1,20 |
| 200 - 380 | € 0,06 | € 1,20 |
| 400+ | € 0,06 | € 1,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
470 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.68V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
417 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse