Nexperia P-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSH201,215
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
417 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3 nC @ 10 V
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,60
€ 0,38 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 9,20
€ 0,46 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 7,60
€ 0,38 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 9,20
€ 0,46 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 140 | € 0,38 | € 7,60 |
| 160 - 740 | € 0,20 | € 4,00 |
| 760 - 1480 | € 0,17 | € 3,40 |
| 1500+ | € 0,14 | € 2,80 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
417 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3 nC @ 10 V
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse