N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH103,215

Nr. stoc RS: 103-7554Producator: NexperiaCod de producator: BSH103,215
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

850 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.1 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,16

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 0,19

Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH103,215

€ 0,16

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 0,19

Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia BSH103,215
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

850 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOT-23

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

3mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.1 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe