Dual N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia 2N7002PV,115

Nr. stoc RS: 792-0768PProducator: NexperiaCod de producator: 2N7002PV,115
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

350 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-666

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

390 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

0.6mm

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia 2N7002PV,115
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

Dual N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 V, 6-Pin SOT-666 Nexperia 2N7002PV,115

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

350 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

SOT-666

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Maximum Power Dissipation

390 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Latime

1.3mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

0.6mm

Detalii produs

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe