N-Channel MOSFET, 350 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 Microchip TN0106N3-G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Dimensiune celula
TN0106
Tip pachet
TO-92
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5.08mm
Latime
4.06mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Inaltime
5.33mm
Tara de origine
United States
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,09
Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 1,297
Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
20
€ 1,09
Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 1,297
Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
20
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 1,09 | € 21,80 |
| 40 - 80 | € 1,00 | € 20,00 |
| 100+ | € 0,88 | € 17,60 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Dimensiune celula
TN0106
Tip pachet
TO-92
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5.08mm
Latime
4.06mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Inaltime
5.33mm
Tara de origine
United States
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse