N-Channel MOSFET, 300 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK Microchip DN3765K4-G

Nr. stoc RS: 178-5359Producator: MicrochipCod de producator: DN3765K4-G
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.2mm

Latime

6.73mm

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

2.39mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 300 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK Microchip DN3765K4-G

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 300 mA, 650 V Depletion, 3-Pin DPAK Microchip DN3765K4-G
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

300 mA

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.2mm

Latime

6.73mm

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

2.39mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe