N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerDFN56 MagnaChip MDU1512RH
Documente tehnice
Specificatii
Marca
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerDFN56
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
69.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35.3 nC @ 10 V
Latime
5.1mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerDFN56
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
69.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
35.3 nC @ 10 V
Latime
5.1mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse