N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH

Nr. stoc RS: 871-4980Producator: MagnaChipCod de producator: MDS1527URH
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

23.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

4.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

4.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.8 nC @ 10 V

Latime

3.9mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Inaltime

1.5mm

Tara de origine

Korea, Republic Of

Detalii produs

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 25) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 25.

Productie -

Disponibil in multiplu de 25.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 25) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 13.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC MagnaChip MDS1527URH

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 25.

Productie -

Disponibil in multiplu de 25.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

25

Disponibil in multiplu de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.1 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SOIC

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

23.7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

4.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

4.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

7.8 nC @ 10 V

Latime

3.9mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Inaltime

1.5mm

Tara de origine

Korea, Republic Of

Detalii produs

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe