N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF7N65BTH

Nr. stoc RS: 871-4937Producator: MagnaChipCod de producator: MDF7N65BTH
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.35 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.71mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.4 nC @ 10 V

Latime

4.93mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Inaltime

16.13mm

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF7N65BTH
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF7N65BTH
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.35 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.71mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.4 nC @ 10 V

Latime

4.93mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Inaltime

16.13mm

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe