N-Channel MOSFET, 2.8 A, 500 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF3N50TH

Nr. stoc RS: 871-6661Producator: MagnaChipCod de producator: MDF3N50TH
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

TO-220F

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

30.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.71mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.75 nC @ 10 V

Latime

4.93mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Inaltime

16.13mm

Tara de origine

China

Detalii produs

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.8 A, 500 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF3N50TH

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.8 A, 500 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF3N50TH
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

TO-220F

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

30.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.71mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.75 nC @ 10 V

Latime

4.93mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Inaltime

16.13mm

Tara de origine

China

Detalii produs

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe