Littlefuse NGD8201ANT4G IGBT, 50 A 440 V, 3-Pin DPAK, Surface Mount
Documente tehnice
Specificatii
Marca
LittlefuseMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
440 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15V
Maximum Power Dissipation
125 W
Tip pachet
DPAK
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 7.49 x 2.38mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
LittlefuseMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
440 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15V
Maximum Power Dissipation
125 W
Tip pachet
DPAK
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
6.73 x 7.49 x 2.38mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse