Littelfuse NGB8207ABNT4G IGBT, 50 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
LittelfuseMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
365 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15V
Maximum Power Dissipation
165 W
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,40
€ 2,08 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 12,58
€ 2,517 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 10,40
€ 2,08 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 12,58
€ 2,517 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
LittelfuseMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
365 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15V
Maximum Power Dissipation
165 W
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiuni
10.29 x 9.65 x 4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse