IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount

Nr. stoc RS: 146-1698Producator: IXYSCod de producator: MUBW50-06A7
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Configuration

3 Phase Bridge

Timp montare

PCB Mount

Channel Type

N

Numar pini

23

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiuni

107.5 x 45 x 17mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Detalii produs

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount

6

Disponibil in multiplu de 6
6P.O.A.
12P.O.A.
18P.O.A.
24P.O.A.
30P.O.A.
36P.O.A.
42P.O.A.
48P.O.A.
54P.O.A.
60P.O.A.
66P.O.A.
72P.O.A.
78P.O.A.
84P.O.A.
90P.O.A.

P.O.A.

IXYS MUBW50-06A7 3 Phase Bridge IGBT Module, 75 A 600 V, 23-Pin, PCB Mount
Informatii indisponibile despre stoc

6

Disponibil in multiplu de 6
6P.O.A.
12P.O.A.
18P.O.A.
24P.O.A.
30P.O.A.
36P.O.A.
42P.O.A.
48P.O.A.
54P.O.A.
60P.O.A.
66P.O.A.
72P.O.A.
78P.O.A.
84P.O.A.
90P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Configuration

3 Phase Bridge

Timp montare

PCB Mount

Channel Type

N

Numar pini

23

Transistor Configuration

3 Phase

Dimensiuni

107.5 x 45 x 17mm

Temperatura minima de lucru

-40 °C

Temperatura maxima de lucru

+125 °C

Detalii produs

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe