IXYS MII100-12A3 Series IGBT Module, 135 A 1200 V, 7-Pin Y4 M5, Panel Mount

Nr. stoc RS: 193-874Producator: IXYSCod de producator: MII100-12A3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

135 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Tip pachet

Y4 M5

Configuration

Series

Montare

Panel Mount

Channel Type

N

Numar pini

7

Transistor Configuration

Series

Dimensiuni

94 x 34 x 30mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-40 °C

Detalii produs

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 75,99

Buc. (fara TVA)

€ 90,43

Buc. (cu TVA)

IXYS MII100-12A3 Series IGBT Module, 135 A 1200 V, 7-Pin Y4 M5, Panel Mount

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 75,99
2€ 151,98
3€ 227,97
4€ 303,96
5€ 379,95
6€ 455,94
7€ 531,93
8€ 607,92
9€ 683,91
10€ 759,90
11€ 835,89
12€ 911,88
13€ 987,87
14€ 1.063,86
15€ 1.139,85

€ 75,99

Buc. (fara TVA)

€ 90,43

Buc. (cu TVA)

IXYS MII100-12A3 Series IGBT Module, 135 A 1200 V, 7-Pin Y4 M5, Panel Mount
Informatii indisponibile despre stoc

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 75,99
2€ 151,98
3€ 227,97
4€ 303,96
5€ 379,95
6€ 455,94
7€ 531,93
8€ 607,92
9€ 683,91
10€ 759,90
11€ 835,89
12€ 911,88
13€ 987,87
14€ 1.063,86
15€ 1.139,85

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

135 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Tip pachet

Y4 M5

Configuration

Series

Montare

Panel Mount

Channel Type

N

Numar pini

7

Transistor Configuration

Series

Dimensiuni

94 x 34 x 30mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-40 °C

Detalii produs

IGBT Modules, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe