IXYS MII100-12A3 Series IGBT Module, 135 A 1200 V, 7-Pin Y4 M5, Panel Mount
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
135 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Tip pachet
Y4 M5
Configuration
Series
Montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
94 x 34 x 30mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Detalii produs
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 76,63
Buc. (fara TVA)
€ 91,19
Buc. (cu TVA)
1
€ 76,63
Buc. (fara TVA)
€ 91,19
Buc. (cu TVA)
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
135 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Tip pachet
Y4 M5
Configuration
Series
Montare
Panel Mount
Channel Type
N
Numar pini
7
Transistor Configuration
Series
Dimensiuni
94 x 34 x 30mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Detalii produs
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse