IXYS IXGH32N170 IGBT, 75 A 1700 V, 3-Pin TO-247AD, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Tip pachet
TO-247AD
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Lungime
16.26mm
Latime
5.3mm
Inaltime
21.46mm
Dimensiuni
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 21,12
€ 21,12 Buc. (fara TVA)
€ 25,13
€ 25,13 Buc. (cu TVA)
1
€ 21,12
€ 21,12 Buc. (fara TVA)
€ 25,13
€ 25,13 Buc. (cu TVA)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 21,12 |
| 5 - 19 | € 18,01 |
| 20 - 49 | € 17,09 |
| 50 - 99 | € 15,34 |
| 100+ | € 14,81 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSMaximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1700 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Tip pachet
TO-247AD
Timp montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Lungime
16.26mm
Latime
5.3mm
Inaltime
21.46mm
Dimensiuni
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse