IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Nr. stoc RS: 168-4412Producator: IXYSCod de producator: IXGH30N120B3D1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare IGBT

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 316,80

€ 10,56 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 383,33

€ 12,778 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 316,80
60€ 633,60
90€ 950,40
120€ 1.267,20
150€ 1.584,00
180€ 1.900,80
210€ 2.217,60
240€ 2.534,40
270€ 2.851,20
300€ 3.168,00
330€ 3.484,80
360€ 3.801,60
390€ 4.118,40
420€ 4.435,20
450€ 4.752,00

€ 316,80

€ 10,56 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 383,33

€ 12,778 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Informatii despre stoc temporar indisponibile

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 316,80
60€ 633,60
90€ 950,40
120€ 1.267,20
150€ 1.584,00
180€ 1.900,80
210€ 2.217,60
240€ 2.534,40
270€ 2.851,20
300€ 3.168,00
330€ 3.484,80
360€ 3.801,60
390€ 4.118,40
420€ 4.435,20
450€ 4.752,00

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

IXYS

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe