N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN48N60P

Nr. stoc RS: 194-473Producator: IXYSCod de producator: IXFN48N60P
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

SOT-227

Dimensiune celula

HiperFET, Polar

Montare

Screw Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

38.23mm

Latime

25.42mm

Transistor Material

Si

Inaltime

9.6mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 33,22

Buc. (fara TVA)

€ 39,53

Buc. (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN48N60P
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 33,22
2€ 66,44
3€ 99,66
4€ 132,88
5€ 132,80
6€ 159,36
7€ 185,92
8€ 212,48
9€ 239,04
10€ 265,60
11€ 292,16
12€ 318,72
13€ 345,28
14€ 371,84
15€ 398,40

€ 33,22

Buc. (fara TVA)

€ 39,53

Buc. (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN48N60P
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 33,22
2€ 66,44
3€ 99,66
4€ 132,88
5€ 132,80
6€ 159,36
7€ 185,92
8€ 212,48
9€ 239,04
10€ 265,60
11€ 292,16
12€ 318,72
13€ 345,28
14€ 371,84
15€ 398,40

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitar
1 - 4€ 33,22
5+€ 26,56

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

SOT-227

Dimensiune celula

HiperFET, Polar

Montare

Screw Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

140 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Maximum Power Dissipation

625 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

38.23mm

Latime

25.42mm

Transistor Material

Si

Inaltime

9.6mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe