N-Channel MOSFET Transistor, 56 A, 230 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRFB4233PBF

Nr. stoc RS: 650-4299Producator: International RectifierCod de producator: IRFB4233PBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

230 V

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

37 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

370 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.66mm

Latime

4.82mm

Serie

HEXFET

Inaltime

9.02mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-40 °C

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 56 A, 230 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRFB4233PBF

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 56 A, 230 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRFB4233PBF
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

56 A

Maximum Drain Source Voltage

230 V

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

37 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

370 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.66mm

Latime

4.82mm

Serie

HEXFET

Inaltime

9.02mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-40 °C

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze