N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
TO-247
Dimensiune celula
CoolMOS C3
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
16.03mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 10 V
Latime
5.16mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
21.1mm
Tara de origine
Germany
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,95
Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 2,32
Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 1,95
Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 2,32
Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 1,95 | € 58,50 |
| 60 - 120 | € 1,83 | € 54,90 |
| 150 - 270 | € 1,75 | € 52,50 |
| 300+ | € 1,66 | € 49,80 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
TO-247
Dimensiune celula
CoolMOS C3
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
16.03mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8 nC @ 10 V
Latime
5.16mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
21.1mm
Tara de origine
Germany
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse