N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR120NPBF

Nr. stoc RS: 178-1506Producator: InfineonCod de producator: IRLR120NPBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

185 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

48 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Latime

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 5 V

Inaltime

2.39mm

Dimensiune celula

HEXFET

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR120NPBF

75

Disponibil in multiplu de 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR120NPBF
Informatii indisponibile despre stoc

75

Disponibil in multiplu de 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

185 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

48 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Latime

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 5 V

Inaltime

2.39mm

Dimensiune celula

HEXFET

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe