N-Channel MOSFET, 343 A, 40 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRLB3034PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
343 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Dimensiune celula
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Lungime
10.67mm
Latime
4.83mm
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
9.02mm
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 3,42
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 4,07
Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
€ 3,42
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 4,07
Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,42 | € 6,84 |
| 20 - 48 | € 2,96 | € 5,92 |
| 50 - 98 | € 2,74 | € 5,48 |
| 100 - 198 | € 2,55 | € 5,10 |
| 200+ | € 2,33 | € 4,66 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
343 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Dimensiune celula
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Lungime
10.67mm
Latime
4.83mm
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
9.02mm
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse