P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V, 3-Pin IPAK Infineon IRFU5410PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
205 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
2.39mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Dimensiune celula
HEXFET
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
6.22mm
Tara de origine
Mexico
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
75
P.O.A.
75
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
205 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
2.39mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Dimensiune celula
HEXFET
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
6.22mm
Tara de origine
Mexico
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse