Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 16 A, 110 V, 3-Pin DPAK IRFR3910TRLPBF

Nr. stoc RS: 222-4752Producator: InfineonCod de producator: IRFR3910TRLPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

16 A

Maximum Drain Source Voltage

110 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

115 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 1.350,00

€ 0,45 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 1.633,50

€ 0,544 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 16 A, 110 V, 3-Pin DPAK IRFR3910TRLPBF

€ 1.350,00

€ 0,45 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 1.633,50

€ 0,544 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 16 A, 110 V, 3-Pin DPAK IRFR3910TRLPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

16 A

Maximum Drain Source Voltage

110 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

115 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Transistor Material

Silicon

Number of Elements per Chip

1

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe