N-Channel MOSFET, 72 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC Infineon IRFP4710PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-247AC
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
5.3mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Inaltime
20.3mm
Dimensiune celula
HEXFET
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Mexico
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-247AC
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
15.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
5.3mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Inaltime
20.3mm
Dimensiune celula
HEXFET
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Mexico
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse