Dual N-Channel MOSFET, 8.7 A, 150 V, 5-Pin TO-220 Infineon IRFI4019H-117P
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
5
Maximum Drain Source Resistance
95 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
18 W
Transistor Configuration
Series
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.67mm
Latime
4.83mm
Inaltime
9.02mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Serie
HEXFET
Detalii produs
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
2
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8.7 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
5
Maximum Drain Source Resistance
95 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
18 W
Transistor Configuration
Series
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
2
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.67mm
Latime
4.83mm
Inaltime
9.02mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Serie
HEXFET
Detalii produs
Digital Audio MOSFET, Infineon
Class D amplifiers are fast becoming the preferred solution for professional and home audio and video systems. Infineon offers a comprehensive range that simplify high-efficiency Class D amplifier design.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse