N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IRFI3205PBF

Nr. stoc RS: 124-8986Producator: InfineonCod de producator: IRFI3205PBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

64 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Dimensiune celula

HEXFET

Tip pachet

TO-220 FP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

63 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.83mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

170 nC @ 10 V

Inaltime

9.8mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 2,56

Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 3,046

Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IRFI3205PBF

€ 2,56

Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 3,046

Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V, 3-Pin TO-220 FP Infineon IRFI3205PBF
Informatii indisponibile despre stoc

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Tub
50 - 50€ 2,56€ 128,00
100 - 200€ 2,00€ 100,00
250+€ 1,86€ 93,00

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

64 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Dimensiune celula

HEXFET

Tip pachet

TO-220 FP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

63 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.83mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Transistor Material

Si

Lungime

10.75mm

Typical Gate Charge @ Vgs

170 nC @ 10 V

Inaltime

9.8mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe