N-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 8-Pin SO Infineon IRF9410TRPBF

Nr. stoc RS: 162-3312Producator: InfineonCod de producator: IRF9410TRPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Latime

4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1V

Inaltime

1.5mm

Dimensiune celula

IRF9410

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 8-Pin SO Infineon IRF9410TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 7 A, 30 V, 8-Pin SO Infineon IRF9410TRPBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Latime

4mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1V

Inaltime

1.5mm

Dimensiune celula

IRF9410

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe