N-Channel MOSFET, 14.6 A, 30 V, 8-Pin SO International Rectifier IRF7809AVTRPBF

Nr. stoc RS: 162-3306Producator: InfineonCod de producator: IRF7809AVTRPBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Latime

4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

41 nC @ 5 V

Inaltime

1.5mm

Dimensiune celula

IRF7809AV

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 14.6 A, 30 V, 8-Pin SO International Rectifier IRF7809AVTRPBF
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 14.6 A, 30 V, 8-Pin SO International Rectifier IRF7809AVTRPBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Latime

4mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

41 nC @ 5 V

Inaltime

1.5mm

Dimensiune celula

IRF7809AV

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe