N-Channel MOSFET, 14.6 A, 30 V, 8-Pin SO International Rectifier IRF7809AVTRPBF

Nr. stoc RS: 162-3275Producator: InfineonCod de producator: IRF7809AVTRPBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Latime

4mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

41 nC @ 5 V

Dimensiune celula

IRF7809AV

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Forward Diode Voltage

1.3V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 14.6 A, 30 V, 8-Pin SO International Rectifier IRF7809AVTRPBF

4000

Disponibil in multiplu de 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 14.6 A, 30 V, 8-Pin SO International Rectifier IRF7809AVTRPBF
Informatii indisponibile despre stoc

4000

Disponibil in multiplu de 4000
4000P.O.A.
8000P.O.A.
12000P.O.A.
16000P.O.A.
20000P.O.A.
24000P.O.A.
28000P.O.A.
32000P.O.A.
36000P.O.A.
40000P.O.A.
44000P.O.A.
48000P.O.A.
52000P.O.A.
56000P.O.A.
60000P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

SO

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Latime

4mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

41 nC @ 5 V

Dimensiune celula

IRF7809AV

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.5mm

Forward Diode Voltage

1.3V

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe