N/P-Channel-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 Infineon IRF7343TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.5mm
Dimensiune celula
IRF7343PbF
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,45
Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 0,536
Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
4000
€ 0,45
Buc. (Pe o rola de 4000) (fara TVA)
€ 0,536
Buc. (Pe o rola de 4000) (cu TVA)
4000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.5mm
Dimensiune celula
IRF7343PbF
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse