N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 7-Pin DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6668TRPBF

Nr. stoc RS: 215-2577Producator: InfineonCod de producator: IRF6668TRPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Dimensiune celula

HEXFET

Tip pachet

DirectFET ISOMETRIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

0.015 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,92

Buc. (Pe o rola de 4800) (fara TVA)

€ 1,095

Buc. (Pe o rola de 4800) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 7-Pin DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6668TRPBF

€ 0,92

Buc. (Pe o rola de 4800) (fara TVA)

€ 1,095

Buc. (Pe o rola de 4800) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 7-Pin DirectFET ISOMETRIC Infineon IRF6668TRPBF
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Dimensiune celula

HEXFET

Tip pachet

DirectFET ISOMETRIC

Montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

0.015 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe