N-Channel MOSFET, 46 A, 700 V, 4-Pin TO-247-4 Infineon IPZ65R045C7XKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Dimensiune celula
CoolMOS C7
Tip pachet
TO-247-4
Dimensiune celula
CoolMOS™ C7
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
227 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
93 nC @ 10 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Inaltime
5.21mm
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 13,19
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 15,70
Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
1
€ 13,19
Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 15,70
Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 13,19 |
| 5 - 9 | € 12,12 |
| 10 - 24 | € 11,76 |
| 25 - 49 | € 10,93 |
| 50+ | € 10,12 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Dimensiune celula
CoolMOS C7
Tip pachet
TO-247-4
Dimensiune celula
CoolMOS™ C7
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
45 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
227 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
93 nC @ 10 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Inaltime
5.21mm
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse