N-Channel MOSFET, 75 A, 700 V, 4-Pin TO-247 Infineon IPZ65R019C7XKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
446 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
215 nC @ 10 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
Si
Serie
CoolMOS C7
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Inaltime
5.21mm
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
Standard
1
P.O.A.
Standard
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
700 V
Tip pachet
TO-247
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
19 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
446 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
215 nC @ 10 V
Latime
21.1mm
Transistor Material
Si
Serie
CoolMOS C7
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.9V
Inaltime
5.21mm
Detalii produs
Infineon CoolMOS™C6/C7 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse