N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin I2PAK Infineon IPI90R500C3XKSA1

Nr. stoc RS: 897-7557Producator: InfineonCod de producator: IPI90R500C3XKSA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Tip pachet

I2PAK (TO-262)

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Latime

4.5mm

Transistor Material

Si

Serie

CoolMOS C3

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

9.45mm

Detalii produs

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin I2PAK Infineon IPI90R500C3XKSA1
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 4.

Productie -

Disponibil in multiplu de 4.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

4

Disponibil in multiplu de 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 3-Pin I2PAK Infineon IPI90R500C3XKSA1
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 4.

Productie -

Disponibil in multiplu de 4.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

4

Disponibil in multiplu de 4
4P.O.A.
8P.O.A.
12P.O.A.
16P.O.A.
20P.O.A.
24P.O.A.
28P.O.A.
32P.O.A.
36P.O.A.
40P.O.A.
44P.O.A.
48P.O.A.
52P.O.A.
56P.O.A.
60P.O.A.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Maximum Drain Source Voltage

900 V

Tip pachet

I2PAK (TO-262)

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

156 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

68 nC @ 10 V

Latime

4.5mm

Transistor Material

Si

Serie

CoolMOS C3

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

9.45mm

Detalii produs

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe