P-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50P03P4L11ATMA1

Nr. stoc RS: 826-9159Producator: InfineonCod de producator: IPD50P03P4L11ATMA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

58 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

42 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Latime

6.22mm

Serie

OptiMOS P

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.3mm

Detalii produs

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50P03P4L11ATMA1
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50P03P4L11ATMA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

18 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

58 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

42 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Latime

6.22mm

Serie

OptiMOS P

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.3mm

Detalii produs

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe