N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD25CN10NGATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Latime
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Inaltime
2.41mm
Dimensiune celula
IPD25CN10N G
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,57
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 0,678
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 0,57
Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 0,678
Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Latime
7.47mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.73mm
Inaltime
2.41mm
Dimensiune celula
IPD25CN10N G
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse